之所以没有实际应用，是卡在了缺陷控制和工业化制备上。

高卢佬之所以急，是因为他们在70年代末，就展开了砷化镓电子元件应用于雷达的研究。所表现出的特性，又让人充满了无限的期待。

但即便在实验室条件下，砷化镓晶锭的缺陷控制，都只能看天意。器件加工良品率不到百分之三十。制备成本高到让人头皮发麻，完全不具备实践化的可能。

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同样被良品率和成本困扰的还有老美的雷神公司，他们也确认了砷化镓材料在雷达应用上的优秀前景。

但和高卢人一样，不论是晶锭缺陷控制还是加工良品率，有太多问题等待解决。

83年推出AN/SPY-1A无源雷达，只能退而求其次的采用铁氧体移相器，机械加电子混合扫描体制。并以此构成了第一代宙斯盾系统的核心。

直到90年代，采用液相外延法取代了液封直拉法和水平布里奇曼法，并采用光学光刻配合电子束光刻，勉强实现了砷化镓器件的工业化生产。

并应用到了下一代宙斯盾系统的AN/SPY-1D雷达。和F22战机的AN/APG-77机载雷达上。成就了一段先敌发现，先敌开火的无敌神话。

后面的就不需要絮叨了，老美用功率密度一到三瓦的第二代半导体材料的砷化镓，碾压了功率密度0、1到0.5瓦的硅基器件，保持了二十多年的领先。

我们采用“蛙跳”战术，跳过了第二代半导体材料，直接上功率密度十到二十瓦的氮化镓……

在80年四月这个时间点，曲卓不知道老美的砷化镓距离工业化制备还有多远。但他知道京城的半导体所差的还很远，即便有他提供的外延生长设备。

眼下在实验室内仅能制备2英寸单晶锭，缺陷密度高达每平方里面十的四次方。砷化镓器件的加工，正在摸索和积累经验。

实验室制备，他能帮上忙。但想实现工业化制备，他能做的十分有限。

以他的所知，起码需要自行设计钼制加热线圈，并完成由计算机控制的“梯度升温法”。解决区域熔融和液相外延复合工艺，还需要研制卧式外延炉，开发晶体切割与抛光自动化生产线。

对实验室精密设备的“掌握”，曲卓是借助剑桥，剑桥依靠欧洲的技术实力完成的。

工业化生产，原本也计划借助欧洲的技术实力。

但之前从高卢往回来时，小日子一头撞了上来。眼下正排在戴英和高卢后面，急的一蹦一跳呢……