曲卓对贝尔实验室的技术积累、硬件条件和研发实力，都有着非常高的评估。

再结合施敏的表现，很担心NAND Flash设计被抢注。

稍加试探，施敏流露出明显的失落，让他越发坚定了之前的判断。

不过，问题不大。

将存储单元由并联改为串联，只是NAND Flash的第一步，后面还有大批问题等着解决呢。

贝尔实验室再牛，但毕竟没有“挂”。也不可能拿着已知结果避开所有弯路，高效的倒推过程。

正向研发，且得需要时间呢。

只要知道这件事就行，有充足的时间把专利注册上。

好吧，虽然曲某人误判了，但并不算完全误判。

事实上，NOR Flash确实引起了很多有实力的科技公司、实验室和从业者的兴趣。

除了贝尔实验室，展开研究的不在少数，尤其是时下研发资金比较充足的小日子。

进度最快的是富士通和东芝。

相较之下，富士通厚木实验室的中野正雄团队进展要更快一些。已经发现了将存储单元由并联转为串联，能够极大的提升存储密度。

但就像曲卓自信的那样，串联所带来的大量问题也接踵而至。

中野正雄判断，正是因为这些“困难重重”，BE的研发团队才选择更为简单的并联方案。

他认为BE选择逃避，是懦夫行为。并坚信以富士通的综合技术实力，只要迎难而上，一定能够解决所有问题，推出比NOR Flash性能更好，存储容量更大的可编程存储器……

没错，中野正雄团队此刻正在公关。

而且，已经推进几个月了。

只不过涉及到的复杂集成电路设计和算法，远远超出了单纯的半导体器件设计，也远远超出了中野正雄团队的能力上限。

为此，中野正雄已经向公司申请了支持与指导。

富士通的集成电路设计专家藤田正博，材料与器件专家小林利博，电子束光刻技术专家宫田武史已经接到命令，在跟进手头工作的同时，为中野正雄团队提供技术支援。

同时，高电子迁移率晶体管发明者三村隆史，奉命加入中野正雄团队……

那些不重要。